第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告2021insightofInnovationinWidebandgapsemiconductor(GaN)industry氮化镓技术概况⚫技术简介⚫技术发展现状⚫技术创新概况2氮化镓（GaN）简介3产业链成熟、成本低，适用于低压、低频、中功率场合，是目前半导体器件和集成电路主要制造材料高频性能较好，广泛应用于卫星通信、移动通信和GPS导航等领域。但资源稀缺，有毒性，对环境危害较大宽禁带、高击穿电场强度和高热导率，具有可见光至紫外光的发光特性。适用于半导体照明、高压、高频、大功率领域1.12第一代半导体硅（Si）锗（Ge）第二代半导体砷化镓（GaAs）磷化铟（InP）第三代半导体氮化镓（GaN）碳化硅（SiC）禁带宽度（eV)1.42.3氮化镓材料定义:氮化镓（GaN）主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，...