光刻机深度：筚路蓝缕，寻光刻星火

阅读 131 下载 7 格式 pdf 大小 3.58 MB 共61页2023-09-17 19:00:23发布于重庆市

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中航科技电子团队2023年9月8日中航证券研究所发布证券研究报告请务必阅读正文后的免责条款部分行业评级：增持光刻机深度：筚路蓝缕，寻光刻星火股市有风险入市需谨慎分析师：刘牧野证券执业证书号：S0640522040001研究助理：刘一楠证券执业证书号：S0640122080006核心观点◼光刻为IC制造核心工艺，光刻技术的演进成就了摩尔定律。光刻工艺占IC制造1/2的时间+1/3的成本，在瑞利公式：𝐶𝐷=𝑘1𝜆/𝑁𝐴的指导下，人类在缩短波长𝜆，增大数值孔径NA，降低工艺因子𝑘1三个方面展开探索，目前已实现13.5nm波长与达物理极限的𝑘1，正在向0.55NAEUV迈步。为了实现进一步制程微缩，业界多采用多重曝光工艺，但对光刻机的套刻精度、图形畸变、稳定性有更高的要求。10nm及以下时，ArFi+多重曝光的复杂度急剧上升，经济性下降...

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