———新能源汽车和光伏产业加速需求放量2023年中国IGBT行业研究报告概览标签：IGBT、功率器件、MOSFET、IPM模块、FRD芯片、IDM模式、Fabless模式、Foundry模式、SiC、逆变器、车规级IGBT、光伏逆变器、栅极、环氧树脂、引线键合、沟槽栅工艺、斯达半导、新洁能©2023HangHangCha来源：行行查研究中心整理www.hanghangcha.com名词解释（1/2）IGBT：IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）即绝缘栅双极型晶体管，其通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通；反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器...