行业研究[2T0ab2le3_年Re1p2or月tda0te6]日[table_invest][刻Tabl蚀e_N机ewT：itle]技术追赶步履不停，国产替代空间充裕行超配业——半导体行业深度报告（六）深度[证Ta券b分le析_A师uthors][table_main]方霁S0630523060001投资要点：fangji@longone.com.cn➢刻蚀工艺是半导体加工的核心环节之一，多种技术途径各有优缺点，并行发展，先进芯片制造工艺对刻蚀设备的性能和数量上的要求均有提升。薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制电造的三大核心工艺。刻蚀是一种通过物理或化学的方法，有选择地去除部分薄膜层，从而子[t2a3%ble_stockTrend]在薄膜上得到所需图形的手段。当前，干法刻蚀占据市场规模的90%左右，因其能保证细小图形转移后的高保真性，在图形转移中占据主导地位。湿法刻蚀因其成本、速度的优势，15%多用...