投资逻辑刻蚀设备是晶圆制造第二大设备，重要性仅次于光刻机，占整体前道设备价值量的22%。随着多重掩膜、大马士革工艺应用以及存储芯片内3D叠堆等技术加速渗透，刻蚀设备在半导体制造中的需求量和重要性不断上升。逻辑芯片不断突破，先进工艺刻蚀次数也不断提升,对刻蚀设备的数量和质量提出了更高的要求。对于中国大陆逻辑电路制造而言，先进制程的主流工艺是FinFET工艺，受制于部分设备能力，国内先进制程的发展目前还需要依赖多重曝光实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的需求数量和重要性进一步提升。存储器件领域，2DNAND向3DNAND的转变以及3DNAND层数的提升需要更高要求的刻蚀工艺，刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上加工40:1到60:1甚至100：1的极深孔或极深的沟槽。以上均是国内半导体刻蚀工艺以及...