半导体行业系列专题(二)之碳化硅:衬底产能持续扩充,关注渗透加速下的国产化机会

阅读 109 下载 7 格式 pdf 大小 3.5 MB 共40页2024-01-11 15:30:04发布于浙江
证券研究报告半导体行业系列专题(二)之碳化硅:衬底产能持续扩充,关注渗透加速下的国产化机会电子行业强于大市平安证券研究所TMT团队分析师:付强S1060520070001(证券投资咨询)徐勇S1060519090004(证券投资咨询)邮箱:FUQIANG021@pingan.com.cnXUYONG318@pingan.com.cn2024年1月10日请务必阅读正文后免责条款1投资逻辑图当前硅基半导体逼近物理极限材料性能突出,相较Si禁带宽度X3倍击穿电压X10倍器件优势明显热导率X5倍电子饱和漂移速率X3倍材料综合性能突出,总能量损耗低80%替代趋势清晰相较Si器件器件尺寸缩小90%开关频率和工作温度均大幅提升器件碳化自主可控需求强烈第三代半导体为关键技术,利好政策持续推出助力产业发展当前国内外技术代差约为5-8年,具备实现国产替代机遇硅市场天花板高2026年全...

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