本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告1存储器行业专题研究双墙阻碍算力升级，探讨四大新型存储应用2023年07月05日➢传统存储难破双墙阻碍，智联时代新型存储应运而生。AIoT、5G、智能汽车等新兴应用场景对数据存储在容量、速度、功耗、成本、可靠性等层面提出更高要求。但CPU与存储芯片间的“性能墙”与各级存储芯片间的“存储墙”成为限制传统存储器应用于新兴领域的两座难关。基于材料介质改造或技术升级的PCRAM、MRAM、ReRAM和FeRAM四大类新型存储，或将成为未来存储器的发展趋势之一。➢模糊外存和主存界限，PCRAM产业化面临障碍。PCRAM（相变存储器）通过改变温度实现相变材料电阻变化，以此为基础存储数据信息。PCRAM目前无物理极限，厚度2nm的相变材料可以实现存储功能...